Horexsの代表団は私達の先端技術によって費用を救うのを顧客が助けるそれ絶えず提供する最もよい技術をである。
2009年に、Horexsの工場はBoluoのdisctrict、ホイチョウ都市中国で造られた;（近くにシンセン都市） （月例12000sqm出力）
2010年に、Horexsの工場開始の農産物の記憶ICパッケージの基質;
2012年に、Horexsは80%がプロダクト50um sapceが付いている記憶card/IC基質板、であることを実現した;
2014年に、R & D MiniLED/MEMSのパッケージの基質プロダクトへのHorexsの開始;
2015年に、10000sqmへのHorexsの製造の機能の範囲毎月;
2017年に、Horexsは日本からより多くのLDI/Mekkiの積層の出版物機械を輸入した;
2019年に、Horexsは湖北省で造る第2工場を決定した;
2020年に、HorexsはSZのオフィス、国際的なビジネス、同じ時間、buidling第2工場開始のための主にサーブを造った;
2022年に、7月のSPILの造られた関係のHorexs湖北の工場動く第1段階;
将来、HorexsはICの基質ICアセンブリICパッケージPCBにもっと焦点を合わせ、私達のR & Dのチームに多くを置く。私達は決してHorexsがtechnoloyによって顧客に常に勝つので、私達の技術の改善を停止しない。
ICの基質の（2layerか多層）製造/サポートOEM/ODM.Including IC assembly/ICパッケージの基質（BGA/Flipchip/Sip/Memoryのパッケージの基質） PCB板。すべての種類のPCB板、5G電子工学の薄いFR4サーキット ボード、医用電子工学薄いPCB板、SIMカード/IoTの電子工学を設計し、テストしメモリ・カードPCB板、UDP/eMMC/MEMS/CMOS/Storage /Sipのパッケージの基質のサーキット ボード、センサー パッケージの基質PCB、そして他極めて薄いPCBの基質。
記憶（BGA）
MicroSD （Tフラッシュ）カードはモバイル機器のために最大限に活用され、スマートな電話、DMBの電話、PDAおよびMP3プレーヤーのようなハイテクなデジタル装置のために等使用されるメモリ・カードである。そのサイズはSDカードの約3分の1であり、付加的なアダプターの使用によってSDカードと互換性がある。
eMMC/MCP/UFS/DDR/LPDDRのような否定論履積/Flashの記憶基質、MicroSD/TF/Dramの基質;
ワイヤー結合のパッケージ、ENIG /softの&hardの金;
プロセスを水平にする溶接インク;
特徴
薄いPCB （>0.08mm）
高積み重ねの技術
薄くなるウエファー:> 20um （薄いDAF:3um）
破片の積み重ね: < 17="" Stack="">
薄い扱うことを死になさい:熱心なD/Aのイジェクター
長いワイヤー及び突出部分制御（Au – 0.7mil）
圧縮鋳造物システム
環境に優しい緑の混合物EMC
鋸Singulation及びパッケージの粉砕
基質:0.21umマトリックスのタイプ基質
付加の接着剤は死ぬ:非導電DAFかFOW
金ワイヤー:0.7mil （18um）金ワイヤー
型の帽子:緑EMC
温度テスト:-40℃ （168h）/85℃ （500h）
Moitureおよび腐食テスト:40℃/93%の相対湿度（500h）、塩水のスプレー3% NaCl/35℃ （24h）
耐久性テスト:10,000の合う周期
折り曲げ試験:10N
トルク テスト:0.10Nm、+/-2.5°最高。
落下試験:1.5mの自由な落下
紫外線の暴露試験:紫外線254nm、15Ws/㎠
一口
パッケージ（一口）またはシステム パッケージのシステムはパッケージのパッケージを使用して積み重なるかもしれない1つ以上のチップ・キャリア パッケージで囲まれているいくつかの集積回路である。一口は電子システムの機能すべてまたはほとんどを行い、携帯電話、デジタル音楽プレーヤー、等の中で普通使用される。集積回路を含んでいるダイスは基質で縦に積み重なるかもしれない。それらはパッケージと結ばれる良いワイヤーによって内部的に接続される。また、フリップ・チップの技術と、はんだの隆起が積み重ねられた破片を一緒に結合するのに使用されている。一口はシステムオンチップ（SoC）のようにしかし統合されたそしてない単一の半導体に死ぬためにより少なく堅くある。
一口のダイスはどの場所がキャリアで水平に死ぬか縦に積み重なるか、またはより少なく密な複数の破片モジュールとは違って、水平にタイルを張ることができる。一口はダイスを通して動くコンダクターによって積み重ねられたケイ素のダイスを接続するわずかにより密な三次元集積回路とは違う標準的なoff-chipワイヤー結束かはんだの隆起とダイスを、接続する。
パッケージ:BGA、LGA、フリップ・チップ、雑種の解決等と互換性がある。
表面処理:柔らかいAu、ENEPIG、ENIG、SOP、OSP
優秀な性能:良いインピーダンス線幅制御、優秀な熱放散の性能
RF/Wireless:電力増幅器、ベースバンド、トランシーバー モジュール、Bluetooth TM、GPS、UWB、等。
消費者:デジタル カメラ、手持ち型装置、メモリ・カード、等。
ネットワーキング/広帯域:PHY装置、ライン・ドライバ、等。
グラフィックスプロセッサ-。TDMB -。タブレットのPC -。スマートな電話
特徴
高密度SMD
受動の部品（≥ 008004）
鋸、BAWフィルター、X-talの発振器、アンテナ
EPS （埋め込まれた受動の基質）
EAD （埋め込まれた活動的な装置）
中心及びCorelessの基質
MCMの雑種（F/C、W/B）
二重側面の台紙（F/Cの受動の部品）
二重側面の鋳造物
粉砕を形成しなさい
二重側面のはんだの球の付加
EMIの保護
湿気感受性:JEDECのレベル4
Unbias HAST:130℃、85%RH、2atm、98Hrs
臨時雇用者。循環:-55℃/+125℃、1000の周期
高温。貯蔵:150℃、1000Hrs
モジュール
集結層:4つの層;
ライン/スペース（分）:35/35um;
総板厚さ（Min.）:0.25mm （HDIのタイプ）
私達の基材は小型であることおよび高い機能性のためのモジュール取付けられたプロダクトの条件を満たし、そのような板によって必要な高密度配線/土地のサイズの縮小に必要なマイクロ製作の開発を可能にする最適タイプおよび薄さである。
極めて薄い基材/prepregの採用によって達成される板厚さ0.25mm （層になる4）
タイプの層の関係の構造に適する高信頼性のシンナー板
技術をめっきすることはモジュールの側面の関係のための最適プロダクトを作成する
カメラ モジュール
Bluetoothモジュール
無線モジュール
パワー アンプ モジュール
MEMS/CMOS
Micro-electromechanicalシステム（MEMS）は小さい統合された装置を作成するのに使用される機械および電装品を結合するシステムまたは加工技術である。それらは集積回路（IC）のバッチ プロセシングの技術を使用して製造され、少数のマイクロメートルからミリメートルまで及んでもいい。
集結層:2/4/6の層
適用:移動式企業（カメラ センサー）、産業自動車車センサー、証券業界
Flipchip/BGA/CSP （2023-HOREXS道路地図の開発）
凸の接触を持っているICのウエファーはフリップ・チップの基質と呼ばれるキャリアの基質に電気関係のために緩衝インターフェイスとして逆に付し、ウエファーとサーキット ボード間の伝達はサーキット ボードの論理回路に、ウエファーの論理をキャリアのゲートの出力のファン機能によって定めるために入力の最大数に達することができる。衝突ラインのキャリアとの相違は、破片とキャリア間の関係が金ワイヤーの代りにはんだの隆起であることキャリアの港の信号密度（入力/出力）を非常に改善）できる、未来の機内開発の傾向として破片の性能を、改善する
高密度半導体のパッケージの基質のFC-BGA （フリップ・チップの球の格子配列）はより多くの機能の高速LSIの破片を可能にする。
破片がPCBに取付けたことをFC-CSP （フリップ破片CSP）は引っくり返される意味する。一般的なCSPと比較されて、相違は半導体の破片と基質間の関係がワイヤー結合ではない、しかし隆起ことである。それはワイヤー結合を要求しないので、一般的なワイヤー結合プロセスによって行くそれらのプロダクトより大いに小さい。さらに、多くの破片およびPCBは一つずつ接続するように要求するワイヤー結合と対照をなして、同時に接続される。さらに、関係の長さはワイヤー結合でより大いに短い、従って性能は改善することができる。
fcCSPのパッケージはまた裸を死ぬタイプ、形成された（CUF、MUF）タイプ、一口のタイプ、雑種（fcSCSP）のタイプおよび同じパッケージ（MCMのfcCSP）内の多数の部品を含んでいる標準的なBGAの足跡に会うパッケージ サブシステム含んでいるフリップ・チップのパッケージ家族の主要なプラットホームである。選択はまた薄い中心、PbなしおよびCUの柱の隆起およびプロセス方法（多くの退潮、TCNCP）の構成を含んでいる。フリップ・チップCSPのパッケージは性能の記憶、RFICsおよびDSPsのような低鉛の計算、高周波、高性能および携帯用プロダクトのために適している。
ライン/スペース:15/15um&20/20um.
プロセス:Msap/樹液/添加物。
終わる表面:ENEPIG/Slective OSP等。
適用:ネットワーク、CPU、自動車、SOC、Gpu等。
特徴
基質の層:4 | 8つの層
隆起ピッチ:Min.130um （はんだの隆起）
CUの柱（TCNCPの≤ 50um/固まりの退潮の≥ 65um）
サイズは死ぬ:0.8~12.5mm
パッケージのサイズ:3~19mm
PCB:BTか等量（2~6の層）
隆起:、PbfreeのCUの柱共融
変化:水溶性
Underfill:エポキシ
EMC:緑（低いアルファ）
はんだの球:Sn3.0Ag0.5Cu （標準）
印:レーザー
パッキング:JEDECの皿
湿気感受性:JEDECのレベル3
Unbias HAST:130℃、85%RH、2atm、98Hrs
臨時雇用者。循環:-55℃/+125℃、1000の周期
高温。貯蔵:150℃、1000Hrs
マイクロ/MiniLEDの基質
小型LEDは100μmのサイズのLEDの破片を示す。サイズは小さい間隔LEDとマイクロLEDの間にある。それは小さい間隔LEDのそれ以上の洗練の結果である。その中で、小さい間隔をあけるLEDは2.5mmの下で隣接したランプのビード間の間隔のLEDのバックライトまたは表示プロダクトを示す。
小型LEDはよりよい表示効果、応答の速度の増加一桁をもたらし、スクリーンはパワー消費量の重要な減少とより薄く、より薄い、場合もある。延長電池の寿命によって、優秀な表示効果および柔軟性を維持している間小型LEDにより速い応答時間およびより高い高温信頼性がある。
小型LEDはバックライトとして使用する大型の表示パネル、スマートな電話、車のパネル、eスポーツのラップトップおよび他のプロダクト、またRGB three-color LEDの破片が自己照明表示を実現することができるようにことができる。
小型LEDは未来の開発の方向にLCDのパネルの次の場所、小さいピッチからの「より小さいピッチ」へ小さいピッチLEDの改善、小型の、マイクロLEDである。小型LEDの直接表示は小さい間隔をあけるLEDのそれ以上の延長で、技術的なそして顧客の面の小さい間隔をあけるパッケージと継ぎ目無く統合することができ。
FBGA
BGAの技術は携帯用コンピュータおよび無線テレコミュニケーションのような適用で使用された高度の半導体に必要なますます高い鉛の計算と関連付けられた問題への解決として最初にもたらされた。増加した集積回路を囲む鉛の数が高い鉛の計算のパッケージ重要な電気ショート問題を経験したように。小さい隆起かはんだの球の形で効果的にパッケージの最下表面の鉛を作成することによってこの問題解決するBGAの技術。
特徴
控えめな高さ（最高0.47mm）
上向き/表面夜明け
JEDECの標準的な承諾
MCP/一口/フリップ・チップ
緑材料（Pbなし/RoHSの承諾）
球ピッチの≥ 0.40mm
PCB:BTか等量（2~6の層）
接着剤:のりかフィルム
ワイヤー:Au （0.6~1.0ミル）
EMC:緑
はんだの球:Sn3.0Ag0.5Cu （標準）
印:レーザー
パッキング:JEDECの皿
湿気感受性:JEDECのレベル3
Unbias HAST:121℃、100%RH、2atm、168Hrs
臨時雇用者。循環:-65℃/+150℃、1000の周期
高温。貯蔵:150℃、1000Hrs
PCB:BTか等量（2~6の層）
QFN PACKAGE.Substrate
クォードきっかり鉛無し、パッケージの底で鉛のパッドが付いているプラスチック内部に閉じ込められたleadframeの基盤CSPを電気相互連結を提供するのに利用することによるQFNのパッケージ サービス。QFNのパッケージのサイズは慣習的なQFPのパッケージと比較される60%減った。それは内部の鉛および短いワイヤーによってよい電気性能を提供する。小さく、軽量の、改善されたが、熱およびよい電気性能のQFNのパッケージは（設計し直された鉛フレームなしで）私達の顧客が費用効果が大きい解決を得ることを保障できる。
特徴
小さい形式要素、低いピン・カウント、leadframe、優秀なコスト パフォーマンス
構造:QFNに鉛の代りにパッケージの底で電極のパッドがある。
適用:小さいモバイル機器、携帯電話、等。
球ピッチ:0.40/0.50/0.65 mm
サイズ4の× 7 ×への4つのmm 7つのmm
ピン・カウント:16から48のピン
1x1mmから10x10mmまで及ぶサイズ
4から256まで及ぶ鉛の計算
0.35、0.4、0.5そして0.65 mmは利用できる投げる
0.9mm取付けられた高さ
JEDEC MO-220に従う
高度の構造– Flipchip、Routable （MIS）
LF:LF
接着剤:接着剤
ワイヤー:ワイヤー
EMC:EMC
はんだの球:鉛の終わり
印:印
パッキング:パッキング
湿気感受性:JEDECのレベル1/2/3
Unbias HAST:121℃、100%RH、2atm、168Hrs
臨時雇用者。循環:-65℃/+150℃、1000の周期
高温。貯蔵:150℃、1000Hrs
eMMCのパッケージ。基質
、携帯電話家電の広い応用範囲のために設計されていて、パームトップ・パソコン、航法系統および他の産業使用、e.MMCはフラッシュ・メモリおよび適用インタフェース設計を簡単にし、低レベルのフラッシュ・メモリ管理から上位演算処理装置を放すフラッシュ・メモリのコントローラー両方で構成される埋め込まれた不揮発性記憶装置である。これは–タイムに市場の減少に終って…不揮発性メモリのインタフェース設計および資格プロセスを簡単にすること、また未来の抜け目がない装置供物のためのサポートを促進することによってプロダクト開発者に寄与する。小さいBGAのパッケージのサイズおよび低い電力の消費e.MMCに可動装置のための実行可能な、低価格の記憶解決および他のスペース強いられたプロダクトを作るため。
eMMCはsmartphonesの条件を満たすように設計されているJEDECの標準によって埋め込まれる記憶解決である。eMMCはPCBで部品の職業区域を救い、smartphonesのための埋め込まれた貯蔵の主流になる1個のパッケージで統合される否定論履積の両方フラッシュおよびコントローラーから成っている。
適用
•タブレット
•身につけられる装置
•催し物装置
•自動車電子工学
