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それは記憶市場のための混乱した期間であり、終わらない。

これまでのところ2020年に、要求はずっと2つの主記憶操置タイプのためにわずかに予想以上である—3D否定論履積およびドラム。しかし今減速、目録問題および進行中の商戦の中の市場に不確実性がある。

さらに、3D否定論履積の市場は新技術の生成の方に動いているが、ある人々は収穫問題に出会っている。そして3D否定論履積およびドラム両方の製造者は中国から新しい競争を得ている。

2019年に減速の後で、記憶市場ははね返るために今年仮定された。それから、COVID-19流行病は打った。突然、国の大きいパーセントは発生を、出無精の順序およびビジネス閉鎖のような軽減するさまざまな手段を特に実行した。経済的な騒ぎおよび失業はすぐに続いた。

結局しかし仕事家の経済はPC、タブレットおよび他のプロダクトのための不慮の要求を運転した。またデータ センタのサーバーのための活気づく要求があった。これすべては記憶、論理および他の破片のタイプのための要求を運転した。

進行中の米中商戦は市場で不確実性を作成し続けるがによりまたパニック破片の購買の波を引き起こした。基本的には、米国は中国の華為技術のためのいろいろ貿易制限を進水させた。従って、しばらくの間、華為技術はずっと要求の上で運転する破片を貯蔵している。

それは端に来ている。華為技術とのビジネスをするためには、米国の会社はおよび他は9月14日の後で米国の政府からの新しい免許証が要求する。多くの売り手は破片の要求に影響を与える華為技術が付いているタイを切っている。

結局全面的な記憶市場は複雑であり、複数の未知数がある。得るために企業を助けるためには前方にあるものがへのある洞察力を、半導体工学はドラム、3D否定論履積、および次世代の記憶のための市場を検査した。

ドラムの原動力
今日のシステムはプロセッサ、グラフィックを統合する、また記憶および貯蔵は頻繁に記憶/貯蔵階層と、言われる。その階層の最初の層では、SRAMは速いデータ・アクセスのためのプロセッサに統合される。ドラム、次の層は、主記憶操置のために別そして使用されて。ディスク・ドライブおよび否定論履積ベースのソリッド ステート貯蔵ドライブ（SSDs）は貯蔵のために使用される。

2019年はつやなしの要求および価格下落によって強調されたドラムのための堅い期間だった。競争はずっと3つの上のドラム メーカー間で激しい。ドラムの市場では、サムスンはTrendForceに従ってSK Hynix （30.1%）およびミクロン（21%）が、先行させている2020年のQ2の43.5%分け前を持つリーダーである。

競争は中国からの新入者と激化する期待される。中国のChangXinのメモリ技術（CXMT）はCowen及びCo.に従って仕事の17nmプロダクトが付いている最初19nmドラム ラインを、出荷している。

それはCXMTが市場にいかに影響を与えるか見られることを残る。その間2020年にドラムの市場は混合された映像である。合計では$62.0十億に、IBSに従って2019年に$61.99十億から大体達すると、ドラムの市場は平ら期待される。

datacenterサーバー ブームとつながれた出無精の経済は2020年の前半そして第三四半期のための強いドラムの要求を推進した。「Q1によるQ3 2020の成長のための主運転者datacentersであり、PC」、はHandelジョーンズ、IBSのCEOを言った。

今日、ドラムの売り手は1xnmノードに基づいて装置を出荷している。「私達はドラムの製造者が「1nmy」および「1nmz」ノードを増や始めると同時にQ3のより強いドラムの要求を」言ったFormFactorの上席副社長、破片の試験的応用のための調査カードの製造者、Amy Leongを見ている。

今度はしかし2020年の後の部分の減速の恐れがある。「Q4 2020年に、datacentersの要求の遅延のために柔らかさがあるが、それは深い低下ではない」とIBSのジョーンズは言った。

その間これまでのところそれはずっとsmartphonesの記憶要求のためのつやなし年である、それはすぐに変わることができる。移動式ドラムの前部で、売り手は新しいLPDDR5インターフェイス規格に基づいてプロダクトを増や。16GB LPDDR5装置のためのデータ転送率はサムスンに従って速く5,500Mb/s、前の移動式記憶標準（LPDDR4X、4266Mb/s）のおよそ1.3倍、である。

「私達は増加する移動式ドラムを期待し、より高いドラムの内容を運ぶ旗艦5Gのsmartphone装置のより高い生産のカレンダー2020年への否定論履積の要求」、カールAckermanの研究のノートのCowenの分析者を、言った。

5Gの次世代の無線技術は、2021年にドラムの要求を運転すると期待される。ドラムの市場はIBSに従って2021年に$68.1十億に、達するために写し出される。「2021年に、成長のための主運転者はsmartphonesであり、5G smartphones」とIBSのジョーンズは言った。「また、データ センタの成長は比較的強い」。

否定論履積の挑戦
低成長の期間後で、否定論履積のフラッシュ・メモリの製造者はまた2020年に反動を望む。「私達は否定論履積のフラッシュ・メモリのための長期的な需用について楽観的である」とFormFactor's Leongの言った。

合計ではIBSに従って2019年に$43.9十億からの9%の上の2020年に$47.9十億に、達すると、否定論履積のフラッシュ・メモリの市場は期待される。「Q1によるQ3 2020の主適用運転者smartphonesだった、PCおよびdatacenters」はとIBSのジョーンズは言った。「私達はQ4 2020年で需要がある柔らかさを見たがではない重要」。

2021年にIBSに従って$53.3十億に、達すると、否定論履積の市場は期待される。「2021の主運転者smartphonesである」はとジョーンズは言った。「私達は見るそしてよくsmartphone 1台あたりの否定論履積の内容を高めることとして容量の増加を」。

次に否定論履積の市場では、サムスンはTrendForceに従ってKioxia （17.2%）、ウェスタン・デジタル（15.5%）、SK Hynix （11.7%）およびミクロン（11.5%）およびIntel （11.5%）に、先行している2020年の第二期の31.4%分け前を持つリーダーである。

それが十分な競争でなければ、中国の揚子のメモリ技術（YMTC）は最近64層装置が付いている3D否定論履積の市場を書き入れた。「YMTC 2021年に比較的強い成長があるが、市場占有率は非常に低い」にとジョーンズは言った。

その間、しばらくの間、製造者は3D否定論履積のずっと平面否定論履積のフラッシュ・メモリへの後継者を増や。第2構造である平面否定論履積とは違って、3D否定論履積はメモリ セルの横の層が小さい縦チャネルを使用して積み重なり、接続される縦の高層建築に類似している。

3D否定論履積は装置で積み重なる層の数によって量を示される。より多くの層が加えられるように、システムのビット密度の増加。しかし製造の挑戦はより多くの層を加えると同時に増える。

3D否定論履積はまたある困難な沈殿および腐食のステップを要求する。「異なった化学を使用している。または彼らがHARと呼ぶか何を高面の比率のエッチングのためのある特定の腐食のプロフィールの後に、特にまたある。3D否定論履積のため、それは非常に重大になる」、ベンRathsack言った、副大統領そして最近の提示の間のTELアメリカの副部長を。

昨年、製造者は64層3D否定論履積プロダクトを出荷していた。「今日、92 -および96層3D否定論履積装置は共通である」、Jeongdong ChoeのTechInsightsの年長の技術的な仲間を言った。「これらの装置である可動装置、SSDsおよび企業の市場で共通」。は

128層3D否定論履積は次の技術の生成である。レポートは収穫問題の中にある遅れがここにあること浮上した。「128Lはちょうど解放された。128L SSDsは市場でちょうど解放された」とChoeは言った。「それは遅れる少しである。収穫問題はそこにまだある、しかし」。

それは問題がどの位持続するか明白でない。それにもかかわらず、製造者は3D否定論履積を量るために異なったルートを取っている。一部はアプローチを積み重ねるいわゆるひもを使用している。例えば、一部は2つの64層装置を発達させて、積み重ね、128層装置を形作る。

他は別のルートを取っている。「サムスン非常に高いアスペクト レシオ縦チャネルのエッチングを含むと128Lのための単一の積み重ねのアプローチを」はChoe言った保った。

企業は3D否定論履積を量り続ける。2021年の終りまでに、Choeは176を期待する- 192層3D否定論履積の部品に…危険の生産にありなさい。

ここにある挑戦がある。「私達は3D否定論履積のスケーリングについて楽観的である」、リックGottscho、逃亡の研究のCTOを言った。「3D否定論履積の計量に2つの大きな挑戦がある。1つは二重デッキか三重のデッキ行くときウエファーを歪め、パターンを歪めることができる従って、直線は大きな挑戦に」。なる層をますます沈殿させると同時に造り上げるフィルムの圧力である、

それはどの位まで3D否定論履積が量るが、より多くのビットのための要求が常にあるか明白でない。「強い要求の長期がある」とGottschoは言った。「データに激増がおよびデータ生成および貯蔵ある。データを採鉱するためのこれらの適用すべてはより多くのデータのための新規アプリケーションに与える行っているそうあり、データのための飽くことのない要求がデータを永久に貯えるために」。

次GEN記憶
しばらくの間、企業はphase-change記憶（ずっとPCM）、STT-MRAM、ReRAM、および他のような複数の次世代の記憶タイプを、開発している。

これらの記憶タイプは無制限の持久力とSRAMの速度およびフラッシュのnon-volatilityを結合するので魅力的である。しかし新しい記憶は成長するためにデータを貯えるのに複雑な材料および転換の機構を使用するのでより長い取った。

新しい記憶タイプの、ずっとPCMは巧妙である。しばらくの間、IntelはPCMである3DずっとXPointを出荷している。ミクロンはまたPCMを出荷している。不揮発性メモリ、材料の状態の変更によるPCMの店データ。それはよりよい持久力のフラッシュより速い。

STT-MRAMはまた出荷している。それはSRAMの速度および無制限の持久力のフラッシュのnon-volatilityを特色にする。それは破片の不揮発性特性を提供するのに電子回転の磁気を使用する。

STT-MRAMは独立のおよび埋め込まれた適用で提供される。埋め込まれるでは、それは22nmでそして向こうマイクロ制御回路および他の破片で（eFlash）取り替えるために目標とした。

ReRAMは低く潜伏をフラッシュより速く性能を書くために読み。ReRAMでは、電圧は記憶の記録データ抵抗の変更を作成する物質的な積み重ねに適用される。

「ReRAM巧妙な容積の使用場合の欠乏によってある程度MRAM影響され」、はデイヴィッドUriuをUMCの製品管理の技術的なディレクター言った。「PCMからのMRAM ReRAMへのへの各技術に強く、欠点があった。私達はこれらの技術の多数の刺激の予言を見たが、事実は仕事に」。まだあることである

PCMが蒸気を得ている間、他の技術はちょうど根付いている。「プロダクト採用の成熟の問題と」はUriu言ったそのうちに示される必要がある解決の機能の信任を得るためにものがである。「費用、アナログの性能および使用法の場合の問題は一般に持ち出され、少数だけ挑戦を受けている。大半はである生産および総費用の所有権の露出を賭けるには単に余りにも危険」。

これはMRAMおよびReRAMが潜在性を限ったと言うことではない。「私達はMRAMおよびReRAMの未来の潜在性を見る。PCMは働くために、間比較的高い、示され、成熟し始めた」と彼は言った。「私達の企業は絶えず材料を改良し、これらのより新しい記憶設計およびこれらの成熟の受諾の開発と関連付けられた使用場合は人工知能、機械学習および処理記憶または計算記憶適用のような高度の適用のために販売するために持って来られる。それらは私達が消費者のために今日使用する多くの機械、IoT、コミュニケーション、3D感知、医学の、交通機関およびインフォテイメントのスマートな適用に拡大する。」（印LaPedusから）