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2021年2月に開かれたSPIEの高度の石版印刷の会議でアプライド・マテリアルズのレジーナの振子は「継続的だったドラムのスケーリングのためのモジュール レベルの物質的な工学」と資格を与えられたスピーチを提供した。スピーチでは、レジーナはドラムの収縮が減速している、新しい解決は図1.に示すように密度を、増加し続けるように必要であることを強調し。

図1.ドラム ノードおよびビット密度の傾向。

導入に従って、ドラムの小型化は多くの挑戦で案内した:

ますます密なパターンを作成するために模造いかに。

シリンダーから模造されるように高いアスペクト レシオが要求する円柱状の構造にコンデンサー展開させなさい。

抵抗器/キャパシタンス ビット線および抵抗/キャパシタンスをアクセス速度を増加するために高める語線必要性。

ケイ素酸化物をからの高k金属のゲート（HKMG）に周辺（Periの）トランジスター進化含んでいるpolysiliconのゲート。

2.ドラムの拡張の挑戦を計算しなさい。

この記事は模造およびコンデンサーに焦点を合わせる。

コンデンサーの模造は十字によって自己一直線に並べられる二重模造によって最近（XSADP）完了したが、さらに複雑な十字に今自己一直線に並べた二重模造を開発されている（（XSADP）しかし今さらに複合体に展開している:XSAQP）。サムスンによって表わされてので、もう一つの選択は3の要因によってマスクの穴密度を増加できるがエッチングを穴のサイズの同輩を作るように要求するスペーサ助けられた模造。最近、EUVはドラムの生産に適用され始めた。

著者はサムスンが1zドラムの第1レベル地域のためにEUVを使用している、多層1αドラムのためにEUVを今使用することを期待することを指摘し。SK HynixはまたEUVの石版印刷機械を使用して1αドラムを今年進水させると期待される。

但し、ドラムのためのEUVの実施は次の挑戦に直面する:

ローカル重大な次元の均等性（LCDU）は、この変更電気性能およびアスペクト レシオのエッチングを変える。

穴のサイズEUVは敏感サイズに穴をあけるためにで、狭い処理の窓がある。

薄く抵抗する、非常に薄く堅くされる必要がある抵抗しEUVなさい。

薄い沈殿物の使用は抵抗するために堅くなり厚い沈殿物の使用は重大な次元（CD）を減らすことができる。パターンの上の空間的で選択的な沈殿はEUVのパターン形成の重要な不利な点であるライン端の荒さ（LER） /Lineの幅の荒さ（LWR）を改良できる。図3.を見なさい。

沈殿させた光硬化性樹脂を使用して3.の改善を計算しなさい。

作用面積のスケーリングのために、EUVに大きいCDの欠陥問題がある。その代り、小さい穴をエッチングし、次にそれにより先端に先端の間隔を減らす1方向の特徴を、開けるのに精密な側面エッチングを使用できる。この技術はCDと収穫の間でトレードオフを除去し、楕円形は図4.に示すようにより大きい接触のパッド区域が、あることを可能にする。

活動的なパターンのためにエッチングする図4.精密側面。

EUVの主要な問題の1つは受諾可能な任意欠陥を受け入れることができる狭いプロセス窓である。方向エッチングはプロセス設計に付加的なノブを提供する。プロセス窓の中間が開き、繋がれれば、橋が付いている窓の側面に動くことができ次に橋を取除くのに方向エッチングを見る図5.を使用する。

任意欠陥を除去する図5.方向エッチング。

今日のコンデンサー ピッチの限界はまた現在のコンデンサーの模造のためのEUVの限界の40nmより大きい。将来、より小さいピッチは要求され、スケーリングを達成する以上30%の図6.を見るプロセス可変性は高められる必要がある。

6.のコンデンサーのスケーリングが変更によって限られることを計算しなさい。

堅いマスクの厚さを減らし、エッチングの均等性をすべて改善することはこの目的を達成して必要である。

この頃は、無定形のケイ素（Si）は堅いマスクとして使用される。将来、添加されたケイ素はより薄く堅いマスクが実現することができるが取除きにくい副産物を作り出すようによりよい選択率を提供できる。図7.を見なさい。

図7.はコンデンサーのスケーリングのための堅いマスクを改良した。

堅いマスクのための添加されたケイ素との問題は特別なエッチングを要求する、次世代プロセスは高温エッチングを使用することであり。光硬化性樹脂が酸化物の堅いマスクを模造するのに使用されている;それから添加されたpolysiliconの堅いマスクは高温etcherの酸化物の堅いマスクを使用して模造され、最終的に添加されたpolysiliconの堅いマスクはエッチングするコンデンサーを使用される。エッチングと沈殿ステップ間の段階的な脈打ったエッチングの切換えはコンデンサーの高速エッチングの根本的な化学使用を、見る図8.を可能にする。

図8.改善された性能および生産性。

前述のプロセス革新が現在のドラムの建築の連続的なスケーリングを達成できることが期待される。

しかしスピーチから私達は3から5年以内に、私達が新しいドラムの建築を必要とすることを見た。含まれる興味深い選択は縦の構造から積み重ねられた横の構造にコンデンサーを変える3Dである。