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HOREXSはIC/Storage ICのパッケージ/テストのICアセンブリのためにPCBの中国の有名なICの基質PCBのmanfuacturerの1つ、ほとんどそう使用している、MEMSのような、EMMC、MCP、DDR、ドラム、UFSの記憶、SSD、CMOS、である。専門の0.1-0.4mm終了するFR4 PCBの製造はだったかどれ!

ソリッド ステート メモリ素子、記憶装置はすくい、TSSOP、DFN、WLCSP、および多くの他を含む他の半導体デバイスと共通して、あるいろいろ標準パッケージ様式で利用できる。そしてさまざまなパッケージはプラスチック、ガラス、陶磁器で、および1つ以上の装置を含んでいる金属提供される。それらはhermetically-sealedパッケージおよび非密閉パッケージでまた利用できる。しかしメモリ素子、記憶装置の場合には複数のタイプのアプリケーション特有のパッケージ構成は、下記のように開発された。

DIMM、SO-DIMM、MicroDIMMおよびNVDIMMs

記憶は72のピンから200のピンからが付いているいろいろなモジュールの形態で利用できる。共通の形態は二重インライン記憶モジュール（DIMMs）、小さい輪郭の二重インライン記憶モジュール（SO-DIMMS）およびMicroDIMMsを含んでいる。SO-DIMMsは約半分対応するDIMMsのサイズで、ノート パソコンのような携帯機器の使用のために設計されている。MicroDIMMモジュールに標準的なSO-DIMMモジュールより小さい輪郭そして厚さがある。MicroDIMMsはモバイル機器および細く、極度の軽量のノートのために設計されている。

耐久性がある記憶のある形態はNVDIMMsに基づいてモジュールのパッケージで提供される。ドラムの速度で重大なデータを扱うためにサーバーのドラムの記憶スロットで作動するミクロンの提供NVDIMMs。電源異常かシステム・クラッシュの場合に、機内コントローラーはそれにより他では失われるデータを維持する機内不揮発性メモリにドラムで貯えられるデータを、移す。システム安定性が元通りになるとき、コントローラーはドラムに戻って否定論履積からデータを移し、効率的に去ったところで取りあげるように適用がする。

3D記憶

Intelおよびミクロンは3Dメモリ技術をのが常であった耐久性がある記憶を供給する共同開発した。Intelによる呼ばれたOptaneおよびミクロン3D XPoint™は、この技術三次元マトリックスの記憶格子を積み重ねる。この建築は密度を改善し、性能を高め、そして持続を提供する。それはドラム（バイトのアドレス指定可能性、高い持久力は、書く）または従来の貯蔵（ブロックのアドレス指定可能性、持続）のように製品構成の使用例によって、可能になる。

高い帯域幅の記憶（HBM）は高性能グラフィック・アクセラレーター、ネットワーク装置、および高速・大容量の演算の使用のために開発される3D SDRAMの構造である。それはサムスン、AMDおよびSK Hynixからの3D積み重ねられたSDRAMのためのインターフェイス構造である。JEDECは2013年10月の業界標準としてHBMを採用した。第二世代、HBM2は2016年1月のJEDECによって、受け入れられた。

AMDに従って、これらのHBMの積み重ねがCPUかGPUと物理的に統合されないが、HBMの特徴がオン破片の統合されたRAMからほぼ識別不可能であることインターポーザーでそう密接にそしてすぐに接続される。そしてHBMは>3XにGDDR5の1ワットあたり帯域幅を提供する記憶出力効率の時計を再調節する。性能および出力効率を越えて、HBMはまたシステム スペースを節約する。GDDR5と比較されて、HBMはより少ないスペース94%の記憶の同量に合うことができる。

パッケージのパッケージ

3Dメモリ構造への前任者、パッケージ（破裂音）の技術のパッケージは縦に分離した論理および記憶球の格子配列（BGA）のパッケージを結合する技術である。今日の3Dメモリ技術が目指された高性能システムの間、破裂音は可動装置および小型フォーマット装置の使用のために最初に開発された。破裂音の熱管理挑戦の結果として、2つ以上の装置の積み重ねは共通ではない。積み重ねは記憶およびプロセッサの複数のメモリ素子、記憶装置、か組合せから成ることができる。

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破裂音アセンブリは非きれいなプロセスを使用して基質にはんだののりを印刷し、のりに論理チップを置くことによって最も一般に遂行される。記憶パッケージは特別設計されていた破裂音の変化またははんだののりにそれから浸り、論理チップの上に置かれる。全アセンブリはそれからreflowed。

埋め込まれた記憶

統合されたオン破片の記憶は埋め込まれた記憶と言われる。それはキャッシュ メモリおよび他の機能に使用し、さまざまなメモリ技術でフラッシュ、EEPROM、等、RAMを含んで、ROM構成するのことができる。それは破片の論理関数の操作を直接支援。高性能埋め込まれた記憶は標準的なプロセッサおよび注文ICを含むVLSI装置の重要な要素、である。ASICまたはプロセッサの記憶を埋め込むことは大いにより広いバスおよびより高い演算速度を可能にする。wearablesまたはIoT無線センサーのようなパワーに敏感な適用の場合には動的にパワー消費量を減らすのに、実時間条件に基づいて制御データの移動の速度によって埋め込まれた記憶が使用することができる。