ニュース

技術は60,000以上のTSVの穴を使用して同じ厚さを現在の8層のパッケージと維持している間12のDRAMチップの積み重ねを可能にする。

パッケージ（720㎛）の厚さは現在の8層の高い帯域幅の記憶2 （HBM2）プロダクトと変わらない。

これは顧客がシステム構成の設計を変えないで高性能容量の次世代の、高容量プロダクトを解放するのを助ける。

さらに、3D実装技術はまたかなり最高速度および低い電力の消費に終って現在既存のワイヤー結合の技術より破片間の短いデータ伝送のひとときを、特色にする。

「ムーアの法律のスケーリングが限界に達するので、3D-TSV技術の役割はさらにもっと重大になると期待される」サムスンの洪Joo Baekを言う。

8から12まで積み重ねられた層の数を高めることによって、サムスンはやがて市場で8GB高い帯域幅の記憶の容量を3倍の今日提供する24GB HBMを大量生産できる。