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システム パッケージの積分器は実用的な異質パッケージの装置をより少なく接続するのに使用されるはんだを作るダイスの間で銅に銅の直接結合の方にとらわれのピッチがダウン状態になると同時に動いている。

熱圧縮の結合では、根本的な基質のパッドにとらわれの突出の銅の隆起。雑種の結合では、銅のパッドは酸化の危険を減らす誘電体ではめ込まれる。、いずれの場合も銅の表面の拡散係数がとらわれの形成の率および温度の依存を定義するけれども。

、いずれの場合も銅の表面の拡散係数がとらわれの形成の率および温度の依存を定義するけれども。銅は立方体、4つの反対のコーナーを横断する平面または3つのコーナーを横断する平面の表面に相当して露出された表面が付いている立方格子で、結晶化する。Crystallographersのラベル格子のミラー指数に基づいてこれらの表面（100）、（110）、および（111）、それぞれ。

銅では、酸化は大いにより遅く、拡散係数は速の一桁である:（111の）表面の250°Cの1.22 x 10-5のcm2/秒は、しかしの4.74×10-9 cm2だけ/秒（100）、そして（110の）表面の3.56 x 10-10のcm2/秒浮上する。台湾の国立交通大学の接着のより少なく指向の表面に最低があったが表面、Chien分劉および同僚（111人） 150°Cとして低速として温度の強い関係を達成したときに、350°C.典型的なはんだの退潮プロセスに近い方のとらわれの温度は250°Cで約作動し、多くの一時的な付着力の混合物はその温度較差のために設計されている。

（111の）表面はまたより強い結束をもたらすより高い原子密度を提供する。この方向で方向づけられたを用いる表面は穀物の25%以下傾向があった失敗を結ぶために。

表面のオリエンテーションは銅の特徴を沈殿させるのに使用される電気めっきプロセスによって決まる。マーヴィンBerntアプライド・マテリアルズ プロセス エンジニアは広く、浅い特徴に重要なサイドウォールがないことを説明した。特徴の底は方向づけられた成長のための型板として役立つことができる。特徴の深さの増加として、等角の種の層の助けサイドウォールに沿う空間をめっきする危険を減らすため。

残念ながら、成長の銅の層は種の表面すべてで均等に集まりがちである。特徴の底から育つ円柱状の穀物はサイドウォールから育つ穀物によって断ち切られる。大きいアスペクト レシオのためにより1.5は内部空間を、この「ピンチを離れた」もたらす場合がある。めっきプロセスはオリエンテーション、溶着速度および無効なしの成長の中のトレードオフのバランスをとる必要がある。

結晶粒度およびオリエンテーションはまたパッドのサイズにもかかわらずパッドの配列内の位置によって、影響される。端のパッドは配列の内部の方に増加するより小さい穀物を備えている。穀物のオリエンテーションはパッドのサイズによって決まり、パッドの位置、SeokHo金およびサムスンの同僚は、電気めっきの間に電流密度の変更がおそらく原因で見つけた。望ましい円柱状の穀物を、従って達成することは、種の層、めっき用具によって供給される現在の波形およびめっきの浴室の化学間の相互作用によって決まる。

2つの非常に方向づけられた表面が会うとき、結果は驚くべきである。国立交通大学のJing Ye Juangおよび同僚は前結合インターフェイスを抹消する連続的な格子構造を観察した。引きテストでは、銅銅インターフェイスはサンプルとテスト据え付け品間の銅ケイ素の結束そして接着剤両方より強かった。同様に、電気抵抗はバルク銅のそれと対等だった。

巧妙な銅に銅の結合は一貫した銅の粒状組織を提供できる電気めっきプロセスによって決まる。しかし電気めっきはBEOLのために確立して、TSVの適用は、銅に銅の結合の特定の条件新しい。（カサリン ダービーシャーから）