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人工知能（AI）の最近の急成長そして広まった拡張によって、機械学習、高速・大容量の演算、グラフィックおよびネットワークの塗布は、記憶のための要求速く育っている。但し、従来の主記憶操置ドラムはそのようなシステム要件を満たしてもはや十分ではない。一方では、データ センタのサーバ アプリケーション貯蔵のための高容量の条件を提供するため。従来、記憶サブシステムの容量はスロットごとの貯蔵チャネルの数を高めることおよび高密度ドラムの二重インライン記憶モジュール（DIMMs）を使用することによって拡大された。但し、最先端の16Gb DDR4のドラムと、システム メモリ容量の条件はある特定の適用のために不十分になるかもしれない（記憶データベースのような）。記憶のケイ素（TSV）を通して容量の拡張および帯域幅の拡張のための有効な基礎技術はなった。これはシリコンの薄片の全体の厚さによるパンチ穴技術である。目的は前部から破片の背部に相互に連結する、逆の場合も同じたくさんの垂直を形作ることである。当初、TSVは実装技術として、ワイヤー結合の代りだけに見なされた。但し、長年にわたって、それはドラム性能および密度を拡大するための不可欠な用具になった。今日、ドラム工業に2つの主な用途の場合があり、容量および帯域幅の拡張の限定を克服するためにTSVsは首尾よく作り出された。それらは3D-TSVドラムおよび高い帯域幅の記憶（HBM）である。

ワイヤー結束積み重なることをが付いている従来の二重破片のパッケージ（DDP）に加えて128のような高密度記憶は死に、256GB DIMMs （2Highおよび4High X4のドラムの16Gbベースの2rank DIMMs）はまた3D-TSVドラムを採用している。3D-TSVドラムでは、2か4ドラムは互いの上に積み重なる死に、底だけ記憶コントローラーに外的に接続される死ぬ。残りのダイスは内部的に入出力（入力/出力）負荷分離を提供する多くのTSVs相互に連結される。DDPの構造と比較されて、この構造は入力/出力の負荷の減結合によってより高いピン速度を達成し、積み重ねられた破片の不必要な回路部品の重複の除去によってパワー消費量を減らす。

SoCの高い帯域幅の条件と主記憶操置の最高の帯域幅の供給の機能間の帯域幅のギャップを埋め合せるために一方では、HBMは作成された。例えば、AIの適用で、各SoCの帯域幅の条件は（特に訓練の適用で）慣習的な主記憶操置によって会うことができない複数のTB/sを超過するかもしれない。3200Mbps DDR4 DIMMの単一の主記憶操置チャネルは帯域幅の25.6GB/sしか提供なできる。8つの記憶チャネルが付いている最先端のCPUのプラットホームは単一SoCのまわりでしか一方ではできる帯域幅のギャップを補うことができるprovide> 1TB/sの帯域幅204.8GB/s.の速度を、4つのHBM2積み重ね提供できない。異なった適用に従って、HBMは単独で隠し場所または記憶の2つの層の最初の層として使用することができる。HBMは同じパッケージのケイ素 インターポーザーを通したSoCと統合される一種の内部パッケージの記憶である。これはそれが従来のoff-chipパッケージの限定であるデータ入力/出力のパッケージ ピン限定の最大数を克服するようにする。それが実際のプロダクトで配置されたHBM2は4から成っているまたは8つの高積み重ね8Gbは1024のデータ ピン死に、各ピンは1.6~2.4Gbpsの速度で動く。各HBMの積み重ねの密度は4または8GBであり、帯域幅は204~307GB/s.である。

SK HynixはHBMおよび高密度3D-TSVドラム プロダクトの企業の指導的地位を維持することに努力していた。最近、SKのhynixは16GBまでの密度および積み重ねごとの460GB/sの帯域幅のHBM2の延長版であるHBM2E装置の巧妙な開発を発表した。これはドラムの密度増加によって1.2V電源電圧の下で16Gbおよび1024データIOsのピンごとの3.6Gbpsの速度を達成することに可能に死ぬなる。SK Hynixはまた高密度DIMMsのための顧客の必要性を満たすために128~256GB 3D-TSV DIMMsの整列を拡大している。TSVの技術は今成熟のある特定のレベルに達し、たくさんのHBM2EのようなTSVsの最も最近のプロダクトを、造ることができる。但しTSVのピッチ/直径/アスペクト レシオを減らす高いアセンブリ収穫を維持することは厚さ死ぬためにより挑戦的になる、継続的だった未来の装置性能および容量の計量のために重大でであって下さいが、将来。そのような改善はまだ同じ総物理的な積み重ね高さを維持している間TSVのサイズの死ぬためにTSVの負荷を、親類を部分減らすために減らすことを割り当て12Highsの上の積み重ねの数を拡大する。TSVのプロダクトおよび技術の連続的な革新を通して、SKのhynixはSK Hynixの要求に、あらゆる記憶基質の製造の歓迎の接触AKENのための応じるために技術を改善し続けるようにakenzhang@hrxpcb.cnストレージ技術leadership.HOREXSのグループの最前線でそれ自身をまた置くことに焦点を合わせ続ける。